图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 NTD20P06L |
| 文档 |
Wafer Probe Measurement 16/Oct/2013 TMOS7 Wafer Fab Expansion 04/Dec/2013 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 2,500 |
| FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 60V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 15.5A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 150 mOhm @ 7.5A, 5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 26nC @ 5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1190pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 65W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| associated | NTD20P06LT4G IR2133SPBF IR2135JPBF 1399075-M IR2110SPBF IR2113SPBF More> |
NTD20P06LT4G也可以通过以下分类找到
NTD20P06LT4G相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家